История кафедры

С 1962 по 1964 г.г. до создания специальной кафедры полупроводниковых приборов кафедра материаловедения полупроводников занималась также проблемами физики и технологии полупроводниковых приборов. На кафедре были разработаны первые новые курсы и практикумы: «Материаловедение полупроводников» и «Методы исследования структуры полупроводников». Программы этих курсов были утверждены Министерством Высшего и среднего специального образования СССР в качестве типовых для специальности «Технология специальных материалов электронной техники». Для студентов старших курсов на кафедре подготовлены и читались шесть спецкурсов: «Выращивание монокристаллов с заданными свойствами и структурой», «Пленочная технология», «Диффузия в полупроводниках», «Поверхностные явления в полупроводниках», «Диффузионные методы исследования структуры и структурных несовершенств», «Свойства, состав и технология получения ферритов. Ферриты для СВЧ».

Основателем и руководителем кафедры был заслуженный деятель науки и техники РФ, профессор, доктор технических наук Семен Самуилович Горелик (1911-2007). Он прошел долгий и славный жизненный путь: с 16 лет — рабочий, комсомольский работник на строительстве Магнитки в 1931-1933 г.г., до июля 1935 г. — красноармеец на Дальнем Востоке (г. Чита), с 1935 г. по 1941 г. студент Института стали, сотрудник отдела оборонной промышленности МГК КПСС в годы Великой Отечественной войны. За вклад в организацию работы оборонной промышленности Москвы, в производство боеприпасов, С.С. Горелик был награжден орденом Красной Звезды. С 1946 года он непрерывно трудился в МИСиС: поступил в аспирантуру, в 1949 году защитил кандидатскую диссертацию, затем 13 лет работал на кафедре рентгенографии и физики металлов, и в 1962 году защитил докторскую диссертацию, получил звание профессора.

Научная деятельность С.С. Горелика к 1962 году концентрировалась на проблеме рекристаллизации металлов и сплавов. В июле 1962 года он был назначен на должность первого декана и в короткие сроки сумел организовать новый факультет полупроводниковых материалов и приборов. Семен Самуилович руководил факультетом в течение 10 лет, 25 лет он возглавлял кафедру материаловедения полупроводников. До самой своей смерти в 2007 г. С.С. Горелик читал лекции и вел активную научную работу на кафедре. В соавторстве с М.Я. Дашевским им написан учебник «Материаловедение полупроводников и диэлектриков», не имеющий аналогов в отечественной и мировой литературе.

Семеном Самуиловичем создана научная школа в области металловедения и материаловедения микро- и наноэлектроники. Под его научным руководством и при его огромной помощи в постановке и проведении исследований защищены 15 докторских и 75 кандидатских диссертаций. Исследования, проводимые этой школой, широко известны научной общественности, их результаты до сих пор ежегодно докладываются на отечественных и международных конференциях.

С.С. Гореликом впервые дано определение материаловедения как науки (Изв. вузов. МЭТ. 2003. № 1), в отличие от общепринятого в мире определения — «науки о материалах». Он является автором более 300 научных статей.

По инициативе С. С. Горелика в 1998 г. создан журнал «Известия вузов. Материалы электронной техники», получивший широкое признание.

Деятельность С. С. Горелика в области подготовки высококвалифицированных инженеров и научных работников и развития материаловедения как науки высоко оценена научной общественностью, министерством высшего образования, правительством. Он награжден орденами Красной Звезды (1944г.), «Знак Почета» (1980 г.), «Почета» (2002 г.), медалью «За трудовую доблесть» и 12 другими медалями.

Первоначально кафедра выпускала инженеров-физиков с усиленным материаловедческим образованием, а в последствие инженеров электронной техники по специальности «Полупроводники и диэлектрики». Дипломники специализировались по следующим профилям: материаловедение полупроводников (влияние состава, структуры и технологических воздействий на свойства); методы исследования структуры полупроводников; магнитные полупроводники — ферриты. К 1969 году кафедра выпустила уже более 300 инженеров и подготовила 6 кандидатов наук.

Организатором и первой заведующей кафедры кристаллографии была выдающийся ученый-кристаллограф, проф., доктор физико-математических наук Марианна Петровна Шаскольская (1913–1983). В 1993 г. кафедра кристаллографии переименована в кафедру физики кристаллов. После реструктуризации университета в 2006 г. кафедры были объединены и вошли в состав института Физики-химии материалов (ныне института Новых материалов и нанотехнологий).

В 1962 г. в Московском институте стали и сплавов был создан факультет — «Полупроводниковые материалы и приборы», и Марианна Петровна становится организатором и заведующей кафедрой кристаллографии — первой подобной кафедрой в техническом вузе Советского Союза. Это одна из самых ярких и интересных страниц в ее биографии. Тогда, в период становления отечественной электроники, в большом количестве потребовались специалисты по материалам этой промышленности — полупроводниковым и диэлектрическим кристаллам. Кому, как не ей и проф. С.С. Горелику, первому декану нового факультета, было взяться за решение этой задачи? И М.П. вложила в создание кафедры свой огромный организаторский талант, душу, а главное — умение находить и привлекать к делу специалистов, умнейших и талантливейших людей, работавших в области кристаллографии и кристаллофизики, заражая их своим интересом и энтузиазмом.

М.П. возглавляла кафедру кристаллографии до 1972 года, а затем, передав ее своему ученику профессору А.А. Блистанову, оставалась профессором этой кафедры до последних дней своей жизни. В 1988 году по постановлению ЮНЕСКО имя М.П. Шаскольской внесено в сборник «47 выдающихся женщин-физиков мира».

Александр Алексеевич Блистанов (1937–2005) — студент, аспирант физико-химического факультета, заместитель декана при создании факультета «Полупроводниковых материалов и приборов», и декан факультета ПМП с 1972 по 1982 г., проректор на научной работе МИСиС с 1986 по 1992 г., заведующий кафедрой физики кристаллов с 1972 по 2002 г., доктор физико-математических наук, профессор.

Награжден Орденом Трудового Красного Знамени. А.А. Блистанов в течение 15 лет являлся председателем ученого совета пинститута и членом ученого совета при ИК РАН по присуждению ученых степеней, председателем научно-методической комиссии Министерства образования РФ по направлению «Техническая физика». Много лет А.А. Блистанов активно работал в редколлегии журнала «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», был членом оргкомитетов ряда международных научных конференций по физике кристаллов. Под его руководством были разработаны учебные планы и программы для подготовки инженеров по специализации «Материалы и компоненты квантовой электроники и оптоэлектроники», бакалавров по направлению «Техническая физика» и магистров по программе «Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники». По его предложению и при непосредственном руководстве кафедра физики кристаллов была сориентирована на выпуск специалистов в области квантовой электроники и акустоэлектроники. А.А. Блистанов явился инициатором создания трехуровневой системы подготовки специалистов на факультете ПМП и кафедре физики кристаллов. Под его руководством создано и защищено более 100 выпускных работ, 20 кандидатских и докторских диссертаций. Ученики школы профессора А.А. Блистанова, которые работают не только в МИСИС, но и в ведущих научных центрах страны и за рубежом, успешно выдержали жесткую проверку в промышленных и научных сферах. А.А. Блистанов вместе с соавторами опубликовал более 200 научных трудов, более 50 изобретений и патентов. В соавторстве создан уникальный справочник «Акустические кристаллы». В 2000 г. вышла из печати монография «Кристаллы квантовой и нелинейной оптики», по полноте охвата и глубине изложения физики явлений, лежащих в основе применения кристаллов, не имеющая аналогов среди учебных пособий в России и за рубежом.

С 1988 г. по 1998 г. кафедрой материаловедения полупроводников заведовал профессор доктор физико-математических наук Аули Александрович Галаев (1935–1998). В 1963 г. после окончания Московского института стали и сплавов А.А. Галаев был направлен на работу на кафедру материаловедения полупроводников с которой была связана вся его дальнейшая трудовая жизнь, и здесь он прошел путь от аспиранта до заведующего кафедрой. А.А. Галаев был крупным ученым, работы которого внесли значительный вклад в развитие материаловедения полупроводников. Его научные интересы лежали в области материаловедения поверхности и поверхностных слоев полупроводников и в области материаловедения приборных структур. В 1960-х — 1970-х гг. им совместно с коллегами был выполнен цикл экспериментальных работ (в том числе с использованием дифракции медленных электронов) по исследованию строения химических связей на поверхностях алмазо-подобных фаз. Результаты исследования по строению полярных поверхностей ряда соединений типа АIIIВV вошли в учебную литературу. Важные и интересные результаты были получены А.А. Галаевым в области строения и свойств приборных структур, в том числе варикапов. За работу по варикапам А.А. Галаев и сотрудники ряда организаций были отмечены в 1990 г. премией Совета Министров СССР.

С 1999 до июня 2021 гг. и с июня по декабрь 2024 г. кафедру материаловедения полупроводников (в настоящее время материаловедения полупроводников и диэлектриков, МПиД) возглавлял профессор, доктор физико-математических наук, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники Ю.Н. Пархоменко — крупный ученый в области физикохимии и технологии неорганических материалов, аналитических методов исследования состава и свойств неорганических и органических материалов. В МИСИС Юрий Николаевич прошел путь от студента до научного руководителя кафедрой: студент, аспирант, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий проблемной лабораторией «Микроэлектроника», доцент кафедры, заведующий кафедрой и в настоящее время научный руководитель кафедры МПиД. После защиты диплома Юрий Николаевич поступил в аспирантуру. В 1975 году он защитил кандидатскую диссертацию, в 2000 году — докторскую.

Юрий Николаевич является руководителем ряда крупных проектов РНФ. В 2025 г. коллектив кафедры выиграл грант РНФ по мероприятию «Предоставление грантов памяти выдающегося русского ученого Евгения Павловича Велихова на проведение поисковых научных исследований под руководством ведущих ученых» научному проекту: «Исследование и разработка технологии перспективных термоэлектрических материалов».

Особенности электронной структуры и химического состояния атомов на поверхности твердых тел представляли научный интерес Юрия Николаевича Пархоменко еще со времени его учебы в аспирантуре. Развитие принципиально новых спектральных методов по исследованию поверхности в 1980–1990 годы позволило оценить влияние поверхности в различных технических приложениях. Юрий Николаевич одним из первых понял важность этого направления. Уже в начале 90-х годов 20 века благодаря инициативе и активным действиям Юрия Николаевича на кафедре появились первые уникальные установки: Оже-спектрометр, масс-спектрометр вторичных ионов и рентгеновский фотоэлектронный спектрометр, которые удалось сохранить в рабочем состоянии до наших дней. Дальнейшие годы были посвящены более глубокому освоению этих методов, повышению квалификации сотрудников и развитию методической базы. Взаимодействие с представителями отраслевых НИИ, предприятий и учебных институтов не только Москвы, но и других городов показало огромный интерес к результатам наших исследований, полученных на данном оборудовании. К тому времени Юрий Николаевич уже был знаком с опытом зарубежных университетов по созданию центров, оснащенных самым современным аналитическим оборудованием. Так, появилась цель — расширить парк приборов и создать центр по комплексному исследованию материалов, сочетающему традиционные способы анализа объемных свойств материалов с методами анализа поверхности. Юрию Николаевичу удалось реализовать эту задачу на практике и создать в 1998 году в НИТУ МИСИС центр коллективного пользования «Материаловедение и металлургия», который он возглавил. Этот центр и сейчас успешно функционирует. Позднее этот опыт пригодился Юрию Николаевичу как руководителю Рабочих групп по ЦКП и по индустрии наносистем в Министерстве образования. За годы руководства кафедрой Юрию Николаевичу удалось существенно расширить материально-техническую базу кафедры. Так, в 2025 г. Центр «Материаловедение и металлургия» вошел в состав кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков. В 1999 году Юрий Николаевич возглавил кафедру Материаловедения полупроводников. Он продолжил дело своих Учителей. Материаловедческая школа, основы которой были заложены основателем и первым заведующим кафедрой профессором Семен Самуиловичем Гореликом, продолжает и сейчас успешно развиваться. На кафедре МПиД бережно сохраняют традиции, но при этом непрерывно расширяется круг материалов и методов исследования. Юрий Николаевич привлек на кафедру ведущих специалистов в профильных областях, которые не просто читают лекции студентам по учебникам, а могут рассказать о новейших достижениях науки как практики.

Юрий Николаевич продолжает традиции школы физического материаловедения, заложенные С.С. Гореликом, и как главный редактор журналов «Материалы электронной техники» и Modern Electronic Materials, и как заместитель главного редактора журнала «Российские нанотехнологии». Он также был приглашенным главным редактором журналов Russian Microelectronics и Sensors/

В 2006 году, учитывая научные достижения Юрия Николаевича и его успешный большой опыт организационный работы, ему предложили возглавить Государственный научный центр «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет». При активном участии Ю.Н. Пархоменко в качестве директора, а затем научного руководителя, в АО «Гиредмет» осуществлено масштабное техническое перевооружение и в настоящее время институт располагает современным исследовательским, экспериментальным и технологическим оборудованием малотоннажного производства полупроводниковых материалов, редких металлов, а также первоклассной системой сертификации и оценки качества веществ. Все это способствовало коренной реконструкции инфраструктуры института на новой производственной площадке, отвечающей современным требованиям научной организации.

Вклад Юрия Николаевича в науку и высшее образование получил признание. В 2005 г. Ю.Н. Пархоменко был удостоен премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники. Юрий Николаевич имеет звания «Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации» и «Почетный работник науки и техники Российской Федерации». В 2010 г. Ю.Н. Пархоменко был награжден медалью «За добросовестный труд», в 2012 г. — медалью ордена «За заслуги перед отечеством» II-й степени. Юрий Николаевич принимает активное участие в работе ряда НТС и комиссий: 11 НТС Росатома «Прямое преобразование энергии, сверхповодимость и электродвижение» (ученый секретарь); НТС Роскосмоса «Космическое материаловедение», Член НТС ОЭЗ «Технополис Москва»; комиссия по присуждению премии РАН имени Е.С. Федорова по кристаллографии (эксперт).

В 2006 г. кафедры материаловедения полупроводников и кристаллографии были объединены в кафедру материаловедения полупроводников и диэлектриков под руководством Ю.Н. Пархоменко.